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激光切割加工速度要考虑两方面

2021-07-08 170

      通常在低温下激光切割加工时,以对数和反对数为主,而在中温和高温下则往往呈现抛物线或线规律金属氧机理金属氧形成致密氧膜是个十分复杂的过程,它既包括多相界面反应,又包括氧膜内离子、电子的移动或扩散的输送过程多项界面反应包括①氧在氧膜上的附着和吸附;②吸附的氧原子获得氧物中的电子,成为氧阴离子进入氧物;③金属原子在金属氧物界面失去电子,成为金属阳离子和电子进入氧物输送过程则包括金属阳离子和电子从金属氧物界面通过氧物向外扩散或氧阴离子从气体氧物界面向金属面的向内扩散,或它们的双向扩散而且氧物生长的动力学过程又和定氧条件下在氧物中所建立起来的浓度梯度学位梯度、电场电位梯度和氧物膜层内过剩电荷所形成的空间电荷层有关。金属的氧机理要考虑上述因素同时,由于生成的氧膜厚度不同,其氧动力学与机理也有所不同,所以,金属的氧机理的讨根据氧膜厚度的不同般可分为薄、薄及厚氧膜三种况进行分析薄氧膜。它指厚度的氧膜,由于氧膜薄,氧的离解吸附产生的电场作用较。此时,维持氧膜生长所需的金属离子和电子的扩散只需要考虑电位梯度。


  通常在低温下激光切割加工时,以对数和反对数为主,而在中温和高温下则往往呈现抛物线或线规律金属氧机理金属氧形成致密氧膜是个十分复杂的过程,它既包括多相界面反应,又包括氧膜内离子、电子的移动或扩散的输送过程多项界面反应包括①氧在氧膜上的附着和吸附;②吸附的氧原子获得氧物中的电子,成为氧阴离子进入氧物;③金属原子在金属氧物界面失去电子,成为金属阳离子和电子进入氧物输送过程则包括金属阳离子和电子从金属氧物界面通过氧物向外扩散或氧阴离子从气体氧物界面向金属面的向内扩散,或它们的双向扩散而且氧物生长的动力学过程又和定氧条件下在氧物中所建立起来的浓度梯度学位梯度、电场电位梯度和氧物膜层内过剩电荷所形成的空间电荷层有关。金属的氧机理要考虑上述因素同时,由于生成的氧膜厚度不同,其氧动力学与机理也有所不同,所以,金属的氧机理的讨根据氧膜厚度的不同般可分为薄、薄及厚氧膜三种况进行分析薄氧膜。它指厚度的氧膜,由于氧膜薄,氧的离解吸附产生的电场作用较。此时,维持氧膜生长所需的金属离子和电子的扩散只需要考虑电位梯度


  而不计及浓度梯度的作用等提出了薄氧膜下金属氧的机理。在激光切割加工反应速度要考虑金属离子迁移和电子迁移两方面,若金属离子脱离基体晶格移向氧膜所需的功为,而电子根据热电子发射现象由电子占有的高能级费米能级移向氧物的传导带所需的功函数为中。则存在两种况当小时,离子的移动快于电子的移动,则电子的移动成为反应速度的控制因素。在此况下,膜的成长速度与电子根据量子力学的效应穿透膜的几率成正比,按量子力学计算,此时氧膜的生长就服从对数规律:  实际中,如在以下氧时就属于这种况当时,则电子的移动快于离子的移动,此时离子的移动就成为氧速度的控制因素,在这种况下,氧膜的生长服从反对数规律,即 等金属在室温或低于室温下的氧符合这种规律薄氧膜。
  它是指厚度为至左右的薄膜。此时,由于膜增厚,膜中的电场强度已减弱,电场对传递过程的作用已不如初始明显,而离子的浓度梯度及其学势已开始有所作用,离子的移动已成为膜成长的控制因素对于金属过剩型氧物即型半导体氧物,其氧膜成长的控制因素是晶格间隙金属离子通过膜的移动,即反应速度与晶格间隙金属离子流成正比,经计算明,其氧速度服从抛物线规律铝在时的氧,锌在时的氧就属于这种况对于金属不足型氧物即型半导体氧物,其氧速度与金属阳离子空位和电子空位密切相关,而金属阳离子空位浓度和电子空位浓度又与金属氧物吸附氧原子的面浓度有关。据此计算,此时的激光切割加工氧速度服从立方规律,即 在时的氧,在及的氧,向的氧均属此类厚氧膜 抛物线氧理。随着金属氧膜的增厚如,其氧动力学规律常见的是抛物线关系。 年建立了有关氧膜抛物线生长动力学规律的理,对于厚膜氧, 提出电子离子理的氧机理,他认为定厚度的氧膜,可视为固体电解质。

 

 

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